Prisma &Prisma EXĐa chức năng môi trường chân không Tungsten Filament phân tích quét kính hiển vi điện tử

• Kính hiển vi điện tử quét sợi vonfram SEM hiệu suất toàn diện và dễ vận hành cho phòng thí nghiệm đa năng thực sự
• Có ESEM độc đáo ™ Chế độ chân không môi trường
• Chân không cao, chân không thấp và ESEM ™ Môi trường chân không Ba chế độ chân không phù hợp để phân tích phạm vi rộng nhất của các mẫu, phạm vi mẫu bao gồm vật liệu dẫn điện, vật liệu không dẫn điện, khử khí, không tráng hoặc các mẫu khác không phù hợp với chân không.
• Một loạt các phần mềm phân tích thời gian thực tích hợp để hoàn thành phân tích phát hiện thử nghiệm động.
• Chân không thấp và chân không môi trường ESEM có thể đáp ứng phân tích phát hiện các vật liệu không dẫn điện và các mẫu bao gồm thuế
• Chức năng tại chỗ cho phép phân tích đáng tin cậy ngay cả đối với các mẫu cách nhiệt hoặc nhiệt độ cao.
• Hỗ trợ cài đặt trước khi quét, máy ảnh có chức năng điều hướng và SmartScanTM cải thiện hiệu quả làm việc, chất lượng dữ liệu và đáp ứng các yêu cầu sử dụng cao hơn.
• -165 ° C đến 1400 ° C phân tích tại chỗ
• Điện áp tăng tốc: 200 V - 30 kV
• Độ phóng đại điện tử: 6x – 1.000.000x (có thể thu thập và hiển thị bốn hình ảnh cùng một lúc)
• Máy dò: Máy dò điện tử thứ cấp Everhart-Thomley ở chế độ chân không cao (E-T SED); Máy dò SE chân không thấp (LVD); ESEM Environmental Vacuum Mode Gas Secondary Electronical Detector (GESD); Camera CCD hồng ngoại phòng mẫu
• Hệ thống chân không: 1 máy bơm phân tử turbo 250L/s, 1 máy bơm cơ khí quay; Hệ thống chân không chênh lệch áp suất được cấp bằng sáng chế "xuyên thấu kính"; Thời gian xả ≤3,5min đến chân không cao, ≤4,5min đến chân không ESEM/chân không thấp; Bẫy lạnh CryoCleaner tùy chọn; Nâng cấp tùy chọn lên PVP không dầu/khô
• Phòng mẫu:

o Đường kính trong 340 mm

o Khoảng cách làm việc phân tích 10 mm

o 12 giao diện phụ kiện

o Góc thu EDS: 35 °

• Độ phân giải:

高真空模式

• 3,0 nm @ 30 kV (SE)
• 4,0 nm @ 30 kV (BSE) *
• 8,0 nm @ 3 kV (SE)

Chế độ giảm tốc dưới chân không cao

• 7,0 nm @ 3 kV

Chế độ chân không thấp

• 3,0 nm @ 30 kV (SE)
• 4,0 nm @ 30 kV (BSE)
• 10 nm @ 3 kV (SE)

• Chân không môi trường ESEM
  • 3,0 nm @ 30 kV (SE)